Аналоги транзистора Tip35c:
| Type | Mat | Struct | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Ic | Tj | Ft | Hfe | Caps |
| BU323AP | Si | NPN | 125,00 | 350,00 | 250,00 | 7,00 | 40,00 | 200,00 | 4,00 | 1000,00 | TOP3 |
| BU999 | Si | NPN | 100,00 | 160,00 | 140,00 | 25,00 | 150,00 | 40,00 | TOP3 | ||
| BUD98 | Si | NPN | 250,00 | 850,00 | 400,00 | 32,00 | 150,00 | 100,00 | TOP3 | ||
| BUD98I | Si | NPN | 110,00 | 850,00 | 400,00 | 32,00 | 150,00 | 100,00 | TOP3 | ||
| BUF420 | Si | NPN | 200,00 | 850,00 | 450,00 | 30,00 | 150,00 | 100,00 | TOP3 | ||
| BUF420A | Si | NPN | 200,00 | 1000,00 | 450,00 | 30,00 | 150,00 | 100,00 | TOP3 | ||
| BUF420AI | Si | NPN | 115,00 | 1000,00 | 450,00 | 30,00 | 150,00 | 100,00 | TOP3 | ||
| BUF420AM | Si | NPN | 115,00 | 1000,00 | 450,00 | 30,00 | 150,00 | 100,00 | TOP3 | ||
| BUF420I | Si | NPN | 115,00 | 850,00 | 450,00 | 30,00 | 150,00 | 100,00 | TOP3 | ||
| BUF420M | Si | NPN | 115,00 | 850,00 | 450,00 | 30,00 | 150,00 | 100,00 | TOP3 | ||
| BUS24B | Si | NPN | 250,00 | 750,00 | 400,00 | 30,00 | 200,00 | 25,00 | TOP3 | ||
| BUS24C | Si | NPN | 250,00 | 850,00 | 450,00 | 30,00 | 200,00 | 25,00 | TOP3 | ||
| TIP35C | Si | NPN | 90,00 | 140,00 | 100,00 | 5,00 | 25,00 | 150,00 | 3,00 | 20,00 | TOP3 |
Биполярный транзистор TIP35C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TIP35C
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
- Корпус транзистора: TOP3
Характеристики популярных аналогов
Наименование производителя: BU323AP
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 350 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Корпус транзистора: TOP3
Наименование производителя: BU999
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
- Корпус транзистора: TOP3
Наименование производителя: BUD98
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 32 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
- Корпус транзистора: TOP3
Наименование производителя: BUD98I
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 110 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 32 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
- Корпус транзистора: TOP3
Наименование производителя: BUF420
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
- Корпус транзистора: TOP3
