Транзистор BCP5616 можно заменить на:
| Type | Mat | Struct | Pc | Uce | Ic | Ft | Hfe | Caps |
| BCP5616 | Si | NPN | 2 | 80 | 1 | 150 | 100 | SOT223 |
| BCP5616Q | Si | NPN | 2 | 80 | 1 | 150 | 100 | SOT223 |
| BTD2195L3 | Si | NPN | 5 | 120 | 4 | 500 | SOT223 | |
| CZT853 | Si | NPN | 3 | 100 | 6 | 190 | 100 | SOT223 |
| FZT600 | Si | NPN | 2 | 140 | 2 | 150 | 2000 | SOT223 |
| FZT603 | Si | NPN | 2 | 80 | 2 | 150 | 3000 | SOT223 |
| ZXTN19100CG | Si | NPN | 3 | 100 | 5.5 | 150 | 200 | SOT223 |
| ZXTN25100DG | Si | NPN | 3 | 100 | 3 | 175 | 300 | SOT223 |
Ниже представлены аналоги с техническими характеристиками.
Биполярный транзистор BCP5616
- Наименование производителя: BCP5616
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
- Корпус транзистора: SOT223
Биполярный транзистор BCP5616Q
- Наименование производителя: BCP5616Q
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
- Корпус транзистора: SOT223
Биполярный транзистор BTD2195L3
- Наименование производителя: BTD2195L3
- Маркировка: DP
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
- Корпус транзистора: SOT-223
Биполярный транзистор CZT853
- Наименование производителя: CZT853
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 190 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 38 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
- Корпус транзистора: SOT223
Биполярный транзистор FZT600
- Наименование производителя: FZT600
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
- Корпус транзистора: SOT223
Биполярный транзистор FZT603
- Наименование производителя: FZT603
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3000
- Корпус транзистора: SOT223
Биполярный транзистор ZXTN19100CG
- Наименование производителя: ZXTN19100CG
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.5 A
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
- Корпус транзистора: SOT223
Биполярный транзистор ZXTN25100DG
- Наименование производителя: ZXTN25100DG
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
- Корпус транзистора: SOT223
