Чем заменить транзистор BCP5616

Чем заменить транзистор BCP5616

Чем заменить транзистор BCP5616
СОДЕРЖАНИЕ
0
364 просмотров

Транзистор BCP5616 можно заменить на:

Type  Mat  Struct  Pc  Uce  Ic  Ft  Hfe  Caps
BCP5616  Si  NPN 2 80 1 150 100  SOT223
BCP5616Q  Si  NPN 2 80 1 150 100  SOT223
BTD2195L3  Si  NPN 5 120 4 500  SOT223
CZT853  Si  NPN 3 100 6 190 100  SOT223
FZT600  Si  NPN 2 140 2 150 2000  SOT223
FZT603  Si  NPN 2 80 2 150 3000  SOT223
ZXTN19100CG  Si  NPN 3 100  5.5 150 200  SOT223
ZXTN25100DG  Si  NPN 3 100 3 175 300  SOT223

Ниже представлены аналоги с техническими характеристиками.

Биполярный транзистор BCP5616

  1. Наименование производителя: BCP5616
  2. Тип материала: Si
  3. Полярность: NPN
  4. Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
  5. Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  6. Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
  7. Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
  8. Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
  9. Корпус транзистора: SOT223

Биполярный транзистор BCP5616Q

  1. Наименование производителя: BCP5616Q
  2. Тип материала: Si
  3. Полярность: NPN
  4. Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
  5. Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  6. Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  7. Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  8. Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
  9. Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  10. Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
  11. Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
  12. Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
  13. Корпус транзистора: SOT223

Биполярный транзистор BTD2195L3

  1. Наименование производителя: BTD2195L3
  2. Маркировка: DP
  3. Тип материала: Si
  4. Полярность: NPN
  5. Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
  6. Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V
  7. Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
  8. Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  9. Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
  10. Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  11. Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
  12. Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
  13. Корпус транзистора: SOT-223

Биполярный транзистор CZT853

  1. Наименование производителя: CZT853
  2. Тип материала: Si
  3. Полярность: NPN
  4. Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
  5. Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
  6. Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
  7. Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  8. Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
  9. Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  10. Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 190 MHz
  11. Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 38 pf
  12. Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
  13. Корпус транзистора: SOT223

Биполярный транзистор FZT600

  1. Наименование производителя: FZT600
  2. Тип материала: Si
  3. Полярность: NPN
  4. Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
  5. Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
  6. Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
  7. Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
  8. Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
  9. Корпус транзистора: SOT223

Биполярный транзистор FZT603

  1. Наименование производителя: FZT603
  2. Тип материала: Si
  3. Полярность: NPN
  4. Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
  5. Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  6. Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
  7. Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
  8. Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3000
  9. Корпус транзистора: SOT223

Биполярный транзистор ZXTN19100CG

  1. Наименование производителя: ZXTN19100CG
  2. Тип материала: Si
  3. Полярность: NPN
  4. Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
  5. Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
  6. Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.5 A
  7. Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
  8. Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
  9. Корпус транзистора: SOT223

Биполярный транзистор ZXTN25100DG

  1. Наименование производителя: ZXTN25100DG
  2. Тип материала: Si
  3. Полярность: NPN
  4. Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
  5. Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
  6. Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
  7. Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz
  8. Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
  9. Корпус транзистора: SOT223
Комментировать
0
364 просмотров
Комментариев нет, будьте первым кто его оставит

Это интересно

Чем заменить припой Техника и авто
7 комментариев

Чем заменить шестигранник Техника и авто
2 комментария

Чем заменить транзистор J3Y Техника и авто
0 комментариев

Чем заменить транзистор ТТ2140 Техника и авто
0 комментариев