Чем заменить транзистор 30F124

Чем заменить транзистор 30F124

Чем заменить транзистор 30F124
СОДЕРЖАНИЕ
0
380 просмотров

Заменить транзистор 30F124 можно на:

Маркировка Struct Pc Uce Ucesat Ueg Ic Tj Fr Cc Caps
 GT30F124 N-Channel 25 300 02.мар  200(pulse) TO220SIS
 GT30F125 N-Channel 25 330 01.сен  200(pulse) TO220SIS
 GT30G125 N-Channel 25 430 02.янв  200(pulse) TO220SIS
 GT45F127 N-Channel 26 300 01.июн  200(pulse) TO220SIS
 GT45F128 N-Channel 26 330 янв.45  200(pulse) TO220SIS
 GT45G127 N-Channel 26 430 01.июл  200(pulse) TO220SIS
 GT45G128 N-Channel 26 430 янв.55  200(pulse) TO220SIS

GT30F124 — IGBT

  • Наименование: GT30F124
  • Тип управляющего канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
  • Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3
  • Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
  • Корпус: TO220SIS

GT30F125 — IGBT

  • Наименование: GT30F125
  • Тип управляющего канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
  • Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9
  • Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
  • Корпус: TO220SIS

GT30G125 — IGBT

  • Наименование: GT30G125
  • Тип управляющего канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
  • Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1
  • Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
  • Корпус: TO220SIS

GT45F127 — IGBT

  • Наименование: GT45F127
  • Тип управляющего канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26
  • Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6
  • Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
  • Корпус: TO220SIS

GT45F128 — IGBT

  • Наименование: GT45F128
  • Тип управляющего канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26
  • Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45
  • Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
  • Корпус: TO220SIS

GT45G127 — IGBT

  • Наименование: GT45G127
  • Тип управляющего канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26
  • Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7
  • Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
  • Корпус: TO220SIS

GT45G128 — IGBT

  • Наименование: GT45G128
  • Тип управляющего канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26
  • Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55
  • Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
  • Корпус: TO220SIS
Комментировать
0
380 просмотров
Комментариев нет, будьте первым кто его оставит

Это интересно

Чем заменить припой Техника и авто
7 комментариев

Чем заменить шестигранник Техника и авто
2 комментария

Чем заменить транзистор J3Y Техника и авто
0 комментариев

Чем заменить транзистор ТТ2140 Техника и авто
0 комментариев