Заменить транзистор 30F124 можно на:
| Маркировка | Struct | Pc | Uce | Ucesat | Ueg | Ic | Tj | Fr | Cc | Caps |
| GT30F124 | N-Channel | 25 | 300 | 02.мар | 200(pulse) | TO220SIS | ||||
| GT30F125 | N-Channel | 25 | 330 | 01.сен | 200(pulse) | TO220SIS | ||||
| GT30G125 | N-Channel | 25 | 430 | 02.янв | 200(pulse) | TO220SIS | ||||
| GT45F127 | N-Channel | 26 | 300 | 01.июн | 200(pulse) | TO220SIS | ||||
| GT45F128 | N-Channel | 26 | 330 | янв.45 | 200(pulse) | TO220SIS | ||||
| GT45G127 | N-Channel | 26 | 430 | 01.июл | 200(pulse) | TO220SIS | ||||
| GT45G128 | N-Channel | 26 | 430 | янв.55 | 200(pulse) | TO220SIS | ||||
GT30F124 — IGBT
- Наименование: GT30F124
- Тип управляющего канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
- Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3
- Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
- Корпус: TO220SIS
GT30F125 — IGBT
- Наименование: GT30F125
- Тип управляющего канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
- Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9
- Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
- Корпус: TO220SIS
GT30G125 — IGBT
- Наименование: GT30G125
- Тип управляющего канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
- Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1
- Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
- Корпус: TO220SIS
GT45F127 — IGBT
- Наименование: GT45F127
- Тип управляющего канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26
- Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6
- Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
- Корпус: TO220SIS
GT45F128 — IGBT
- Наименование: GT45F128
- Тип управляющего канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26
- Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45
- Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
- Корпус: TO220SIS
GT45G127 — IGBT
- Наименование: GT45G127
- Тип управляющего канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26
- Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7
- Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
- Корпус: TO220SIS
GT45G128 — IGBT
- Наименование: GT45G128
- Тип управляющего канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26
- Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55
- Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
- Корпус: TO220SIS
