Чем заменить транзистор KF7N60

Чем заменить транзистор KF7N60

Чем заменить транзистор KF7N60
СОДЕРЖАНИЕ
0
921 просмотров

Заменить транзистор KF7N60 можно на:

Маркировка Pol Struct Pd Uds Ugs Ugs(th) Id Tj Qg Tr Cd Rds Caps
2SK2866 N MOSFET 125 600 30 4 10 150 45 0.75 TO220AB
CS16N60_A8H N MOSFET 180 600 30 16 150 52 18.май 0.5 TO220AB
KF7N60P N MOSFET 108 600 30 7 150 25 100 0.95 TO220AB
SIHP12N65E N MOSFET 156 650 30 4 12 150 35 19 65 0.38 TO220AB

2SK2866 MOSFET

  • Наименование прибора: 2SK2866
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
  • Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
  • Тип корпуса: TO220AB

CS16N60_A8H MOSFET

  • Наименование прибора: CS16N60_A8H
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Время нарастания (tr): 52 ns
  • Выходная емкость (Cd): 18.5 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.5 Ohm
  • Тип корпуса: TO220AB

KF7N60P MOSFET

  • Наименование прибора: KF7N60P
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 108 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Время нарастания (tr): 25 ns
  • Выходная емкость (Cd): 100 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.95 Ohm
  • Тип корпуса: TO220AB

SIHP12N65E MOSFET

  • Наименование прибора: SIHP12N65E
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
  • Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
  • Время нарастания (tr): 19 ns
  • Выходная емкость (Cd): 65 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.38 Ohm
  • Тип корпуса: TO-220AB
Комментировать
0
921 просмотров
Комментариев нет, будьте первым кто его оставит

Это интересно

Чем заменить шестигранник Техника и авто
2 комментария

Чем заменить припой Техника и авто
7 комментариев

Чем заменить транзистор J3Y Техника и авто
0 комментариев

Чем заменить стилус Техника и авто
0 комментариев