Заменить транзистор KF7N60 можно на:
| Маркировка | Pol | Struct | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Id | Tj | Qg | Tr | Cd | Rds | Caps |
| 2SK2866 | N | MOSFET | 125 | 600 | 30 | 4 | 10 | 150 | 45 | 0.75 | TO220AB | ||
| CS16N60_A8H | N | MOSFET | 180 | 600 | 30 | 16 | 150 | 52 | 18.май | 0.5 | TO220AB | ||
| KF7N60P | N | MOSFET | 108 | 600 | 30 | 7 | 150 | 25 | 100 | 0.95 | TO220AB | ||
| SIHP12N65E | N | MOSFET | 156 | 650 | 30 | 4 | 12 | 150 | 35 | 19 | 65 | 0.38 | TO220AB |
2SK2866 MOSFET
- Наименование прибора: 2SK2866
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
- Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A
- Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
- Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
- Тип корпуса: TO220AB
CS16N60_A8H MOSFET
- Наименование прибора: CS16N60_A8H
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A
- Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
- Время нарастания (tr): 52 ns
- Выходная емкость (Cd): 18.5 pf
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.5 Ohm
- Тип корпуса: TO220AB
KF7N60P MOSFET
- Наименование прибора: KF7N60P
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 108 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A
- Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
- Время нарастания (tr): 25 ns
- Выходная емкость (Cd): 100 pf
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.95 Ohm
- Тип корпуса: TO220AB
SIHP12N65E MOSFET
- Наименование прибора: SIHP12N65E
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
- Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A
- Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
- Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
- Время нарастания (tr): 19 ns
- Выходная емкость (Cd): 65 pf
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.38 Ohm
- Тип корпуса: TO-220AB
