Транзистор 2n5551: аналоги, характеристики, схемы, чем заменить

Транзистор 2n5551: аналоги, характеристики, схемы, чем заменить

Транзистор 2n5551: аналоги, характеристики, схемы, чем заменить
СОДЕРЖАНИЕ
0
274 просмотров

Аналоги транзистора 2n5551:

Type  Mat  Struct  Pc  Ucb  Uce  Ueb  Ic  Tj  Ft  Cc  Hfe  Caps
2N5551  Si  NPN  0.31 180,00 160,00 6,00  0.6 135,00 100,00 6,00 80,00  TO92
2N5551C  Si  NPN  0.625 180,00 160,00 6,00  0.6 150,00 300,00 6,00 80,00  TO92
2N5551CN  Si  NPN  0.4 180,00 160,00 6,00  0.6 150,00 150,00 3,00 80,00  TO92N
2N5551G  Si  NPN  0.625 180,00 160,00 6,00  0.6 150,00 100,00 6,00 80,00  TO92 SOT89
2N5551K  Si  NPN  0.625 180,00 160,00 6,00  0.6 150,00 100,00 6,00 80,00  TO92
2N5551N  Si  NPN  0.4 180,00 160,00 6,00  0.6 150,00 150,00 3,00 80,00  TO92N
2SC6136  Si  NPN  0.5 600,00 285,00 8,00  0.7 150,00 100,00  TO92
2SD1701  Si  NPN  0.75 1700,00  0.8 150,00 10000,00  TO92
BTN5551K3  Si  NPN  0.9 180,00 160,00 6,00  0.6 150,00 100,00 6,00 100,00  TO92L
ECG194  Si  NPN  0.35 180,00 160,00  0.6 150,00 100,00 100,00  TO92
H2N5551  Si  NPN  0.625 180,00 160,00 6,00  0.6 150,00 100,00 6,00 80,00  TO92
H5551  Si  NPN  0.625 180,00 160,00 6,00  0.6 150,00 100,00 80,00  TO92
HEPS0005  Si  NPN  0.31 180,00 160,00  0.6 150,00 200,00 160,00  TO92

Биполярный транзистор 2N5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5551

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO92

Наиболее важные параметры.

  • Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 0,630 Вт.
  • Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером — 300 МГц;
  • Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 150в.
  • Максимальное напряжение коллектор — база — 160в.
  • Максимальное напряжение эмиттер — база — 5в.
  • Коэффициент передачи тока — от 60 до 240.
  • Максимальный постоянный ток коллектора — 0,3А, 0,6А — пульсирующий.
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 0,5в.
  • Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 1в.
  • Обратный ток коллектор — база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 160в. не более 50нА.
  • Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 4в не более — 50 нА.

Комплементарная пара

Комплементарным аналогом, с прямой проводимостью (p-n-p), является транзистор 2N5401 или российский КТ6116А. В основном, они отличаются от рассматриваемого образца только коэффициентом усиления по току от 60 до 240 hFE.

Маркировка

Транзистор промаркирован по американской системе обозначения полупроводниковых приборов JEDEK: 2-транзистор, N-типоминал, 5551-серийный номер.

Где и как использовать ?

Это транзистор частенько встречается в различных схемах с большим напряжением на нагрузке. Напряжение, которое он может пропустить через контакты коллектора и эмиттера достигает 160 В. Может использоваться в качестве электронного ключа для включения нагрузок до 600 мА.

Этого тока достаточно для работы с различными незначительными нагрузками, а так же использования его в качестве транзистора дифкаскада. Для любителей паять электронные схемы в сети интернет широко распространена статья “Собираем Lazar” по сборке усилителя мощности звуковой частоты “Лазар” с полным описанием процесса, в котором 2N5551 используется парно.

Характеристики основных аналогов

Наименование производителя: 2N5551

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO92

Наименование производителя: 2N5551C

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO92

Наименование производителя: 2N5551CN

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO-92N

Наименование производителя: 2N5551G

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO-92_SOT-89
Комментировать
0
274 просмотров
Комментариев нет, будьте первым кто его оставит

Это интересно