Аналоги транзистора 2n5551:
| Type | Mat | Struct | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Ic | Tj | Ft | Cc | Hfe | Caps |
| 2N5551 | Si | NPN | 0.31 | 180,00 | 160,00 | 6,00 | 0.6 | 135,00 | 100,00 | 6,00 | 80,00 | TO92 |
| 2N5551C | Si | NPN | 0.625 | 180,00 | 160,00 | 6,00 | 0.6 | 150,00 | 300,00 | 6,00 | 80,00 | TO92 |
| 2N5551CN | Si | NPN | 0.4 | 180,00 | 160,00 | 6,00 | 0.6 | 150,00 | 150,00 | 3,00 | 80,00 | TO92N |
| 2N5551G | Si | NPN | 0.625 | 180,00 | 160,00 | 6,00 | 0.6 | 150,00 | 100,00 | 6,00 | 80,00 | TO92 SOT89 |
| 2N5551K | Si | NPN | 0.625 | 180,00 | 160,00 | 6,00 | 0.6 | 150,00 | 100,00 | 6,00 | 80,00 | TO92 |
| 2N5551N | Si | NPN | 0.4 | 180,00 | 160,00 | 6,00 | 0.6 | 150,00 | 150,00 | 3,00 | 80,00 | TO92N |
| 2SC6136 | Si | NPN | 0.5 | 600,00 | 285,00 | 8,00 | 0.7 | 150,00 | 100,00 | TO92 | ||
| 2SD1701 | Si | NPN | 0.75 | 1700,00 | 0.8 | 150,00 | 10000,00 | TO92 | ||||
| BTN5551K3 | Si | NPN | 0.9 | 180,00 | 160,00 | 6,00 | 0.6 | 150,00 | 100,00 | 6,00 | 100,00 | TO92L |
| ECG194 | Si | NPN | 0.35 | 180,00 | 160,00 | 0.6 | 150,00 | 100,00 | 100,00 | TO92 | ||
| H2N5551 | Si | NPN | 0.625 | 180,00 | 160,00 | 6,00 | 0.6 | 150,00 | 100,00 | 6,00 | 80,00 | TO92 |
| H5551 | Si | NPN | 0.625 | 180,00 | 160,00 | 6,00 | 0.6 | 150,00 | 100,00 | 80,00 | TO92 | |
| HEPS0005 | Si | NPN | 0.31 | 180,00 | 160,00 | 0.6 | 150,00 | 200,00 | 160,00 | TO92 |
Биполярный транзистор 2N5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5551
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
- Корпус транзистора: TO92
Наиболее важные параметры.
- Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 0,630 Вт.
- Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером — 300 МГц;
- Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 150в.
- Максимальное напряжение коллектор — база — 160в.
- Максимальное напряжение эмиттер — база — 5в.
- Коэффициент передачи тока — от 60 до 240.
- Максимальный постоянный ток коллектора — 0,3А, 0,6А — пульсирующий.
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 0,5в.
- Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 1в.
- Обратный ток коллектор — база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 160в. не более 50нА.
- Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 4в не более — 50 нА.
Комплементарная пара
Комплементарным аналогом, с прямой проводимостью (p-n-p), является транзистор 2N5401 или российский КТ6116А. В основном, они отличаются от рассматриваемого образца только коэффициентом усиления по току от 60 до 240 hFE.
Маркировка
Транзистор промаркирован по американской системе обозначения полупроводниковых приборов JEDEK: 2-транзистор, N-типоминал, 5551-серийный номер.
Где и как использовать ?
Это транзистор частенько встречается в различных схемах с большим напряжением на нагрузке. Напряжение, которое он может пропустить через контакты коллектора и эмиттера достигает 160 В. Может использоваться в качестве электронного ключа для включения нагрузок до 600 мА.
Этого тока достаточно для работы с различными незначительными нагрузками, а так же использования его в качестве транзистора дифкаскада. Для любителей паять электронные схемы в сети интернет широко распространена статья “Собираем Lazar” по сборке усилителя мощности звуковой частоты “Лазар” с полным описанием процесса, в котором 2N5551 используется парно.
Характеристики основных аналогов
Наименование производителя: 2N5551
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
- Корпус транзистора: TO92
Наименование производителя: 2N5551C
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
- Корпус транзистора: TO92
Наименование производителя: 2N5551CN
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
- Корпус транзистора: TO-92N
Наименование производителя: 2N5551G
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
- Корпус транзистора: TO-92_SOT-89
